產品描述
中文名 |
化學式 |
CAS號 |
英文簡稱 |
英文名 |
類別 |
四(甲乙胺)鋯 |
C12H32N4Zr |
175923-04-3 |
TEMAZ |
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium |
前驅體 |
四(甲乙胺)鋯(TEMAZ) |
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化學式 |
C12H32N4Zr |
中文名稱 |
四(甲乙胺)鋯 |
英文名稱 |
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium |
CAS No. |
175923-04-3 |
分子量 |
323.63 |
應用 |
主要用于CVD、ALD、等離子體增強原子層沉積(PEALD)工藝,是生產ZrO2的前驅體。 ZrO2在45nm晶體管的制備中代替二氧化硅,可以顯著減少漏電量,還是COMS和動態(tài)存儲(DRAM)的高k絕緣材料,是目前解決動態(tài)存儲和高清顯示技術難題的最優(yōu)選材料之一;可作阻變存儲器的介質層前驅體;可作鋰離子電池正極包覆沉積前驅體。 |
產品規(guī)格 |
6N(99.9999%) |
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